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SD2010

  • 產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 技術(shù)文檔
總線 晶振 精度 INT輸出 SRAM 管腳可兼容 ? 封裝形式??
IIC 內(nèi)置 5±23ppm(*1) 12字節(jié) 8010 SOP8

內(nèi)置晶振、超小封裝、可以數(shù)字補(bǔ)償?shù)母呔葧r(shí)鐘IC-SD2077/2078/2010

SD2010管腳兼容8010-實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的新選擇!

 

概述:

        SD2078是一種具有標(biāo)準(zhǔn)IIC接口的實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片,CPU可使用該接口通過5位地址尋址來讀寫片內(nèi)32字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2078內(nèi)置晶振,用戶可以不用顧慮因外接晶振、諧振電容等所帶來的元件匹配誤差問題和振蕩可靠性問題。SD2078內(nèi)置時(shí)鐘精度數(shù)字調(diào)整功能,可以在很寬的范圍內(nèi)校正時(shí)鐘的偏差(-189ppm~+189ppm,分辨力為3.05ppm),并通過外置的溫度傳感器可設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值,實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能。 

 

主要性能特點(diǎn):

      > 低功耗: 1.2 μA 典型值(VBAT =3.0V,Ta=25℃)。   

      >工作電壓:1.8 V~5.5V,工作溫度為-40℃~+85℃。 

      >標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。

      >年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨(dú)立的地址訪問各時(shí)間寄存器。

      >閏年自動(dòng)調(diào)整功能(從2000年~2099年)。

      >可選擇12/24小時(shí)制式.

      >內(nèi)置年、月、日、星期、時(shí)、分、秒共7字節(jié)的報(bào)警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報(bào)警允許寄存器,共有96種組合報(bào)警方式,并有單事件報(bào)警和周期性          報(bào)警兩種中斷輸出模式,報(bào)警時(shí)間最長可設(shè)至100年。

      >周期性頻率中斷輸出:從32768Hz~1/16Hz……1秒共十五種方波脈沖。

      >自動(dòng)重置的8位倒計(jì)時(shí)定時(shí)器,可選的4種時(shí)鐘源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ)。

      >3種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有3個(gè)中斷標(biāo)志位.

      >內(nèi)置12字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲(chǔ)用戶的一般數(shù)據(jù)。

      >具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K,可以位允許/禁止32K輸出。

      >內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器,為了節(jié)省電池電量消耗,設(shè)為VDD模式下60S間隔測溫一次,電池模式600S間隔測溫一次。

      >內(nèi)置晶振和諧振電容,常溫精度:A檔<±10ppm(常溫日誤差最大0.86秒);B檔<±30ppm;C檔<±50ppm。

      >內(nèi)置時(shí)鐘精度數(shù)字調(diào)整功能,可通過程序來調(diào)整走時(shí)的快慢。用戶采用外置的溫度傳感器,設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值,可實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能。

      >具有一個(gè)后備電池輸入腳VBAT ,芯片依據(jù)不同的電壓自動(dòng)從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。

      >內(nèi)置IIC總線0.5秒自動(dòng)復(fù)位功能(從Start命令開始計(jì)時(shí)),該功能可以避免IIC總線掛死問題。

      >內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫保護(hù)位, 避免對(duì)數(shù)據(jù)的誤寫操作,可更好地保護(hù)數(shù)據(jù)。

      >內(nèi)置上電指示位RTCF,當(dāng)包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時(shí)該位置1。 

      >芯片管腳抗靜電(ESD)>4KV。

      >芯片在興威帆的評(píng)估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。

      >CMOS 工藝 

      >封裝形式:SOP8(寬度208mil:SD2077/2078;寬度150mil:SD2010)。

 

管腳設(shè)置:

 

管腳說明:

名稱功能特征

VBAT

備用電池輸入腳,內(nèi)置穩(wěn)壓及充電電流可選的充電電路。

1.5V~5.5V,不用時(shí)應(yīng)將其接GND.

F32K32.768KHZ方波信號(hào)輸出腳N-溝道開路輸出
GND負(fù)電源(GND)
SDA串行數(shù)據(jù)輸入/輸出腳,此管腳通常用一電阻上拉至VDD,并與其它漏極開路或集電器開路輸出的器件通過線與方式連接.N溝道開路輸出;CMOS輸入.
SCL

串行時(shí)鐘輸入腳,由于在SCL上升/下降沿處理信號(hào),要特別注意SCL信號(hào)的上升/下降升降時(shí)間,應(yīng)嚴(yán)格遵守說明書。為了減少SCL上升沿時(shí)間,MCU與SCL連接的端口可設(shè)為CMOS輸出,不要設(shè)置為開漏輸出。

CMOS輸入
INT報(bào)警中斷輸出腳,根據(jù)控制寄存器來設(shè)置其工作的模式,它可通過重寫控制寄存器來禁止.N-溝道開路輸出
VDD正電源1.8V~5.5V 


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