內置晶振、超小封裝、寬溫補償的高精度時鐘IC－SD3077/3078/3031/3900

實時時鐘芯片(RTC)新選擇！

概述:

       SD3078是一種具有標準IIC接口的實時時鐘芯片,CPU可使用該接口通過7位地址尋址來讀寫片內122字節(jié)寄存器的數據(包括時間寄存器、報警寄存器、控制寄存器、電池電量寄存器、70字節(jié)的用戶SRAM寄存器及8字節(jié)的ID碼寄存器)。SD3078內置晶振及數字溫度補償，用戶可以不用顧慮因外接晶振、諧振電容等所帶來的元件匹配誤差問題、晶振溫度特性問題及可靠性問題，實現在常溫及寬溫范圍內不需用戶干預、全自動、高可靠計時功能。SD3078內置定時/報警中斷輸出腳和獨立的32K輸出腳,報警中斷時間最長可設至100年。SD3078具有一個后備電池輸入腳VBAT，內部的充電電路可對外接的充電電池進行智能充電，也可對電池電量進行檢測和欠壓報警指示。SD3078內置8字節(jié)的ID，每一顆芯片具備唯一的身份識別碼。該芯片可滿足對高精度實時時鐘芯片的各種需要，是在選用實時時鐘IC時的理想選擇。

主要性能特點：

      > 低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。   

      >工作電壓：2.7V～5.5V，工作溫度為-40℃～+85℃。 

      >標準IIC總線接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

      >年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨立的地址訪問各時間寄存器。

      >閏年自動調整功能(從2000年～2099年)。

      >可選擇12/24小時制式.

      >內置年、月、日、星期、時、分、秒共7字節(jié)的報警數據寄存器及1字節(jié)的報警允許寄存器，共有96種組合報警方式，并有單事件報警和周期性          報警兩種中斷輸出模式，報警時間最長可設至100年。

      >周期性頻率中斷輸出:從4096Hz～1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖. 

      >自動重置的三字節(jié)共24位的倒計時定時器,可選的4種時鐘源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘），最小定時為244us，最長定時可到31年，通          過計算可獲得較精確的毫秒級定時值。

      >5種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有4個中斷標志位.

      >內置70字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲用戶的一般數據。

      >具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K，可以位允許/禁止32K輸出。

      >內置8bit轉換結果的數字溫度傳感器，為了節(jié)省電池電量消耗，設為VDD模式下60S間隔測溫一次，電池模式600S間隔測溫一次。

      >內置晶振和諧振電容，芯片內部通過高精度補償方法，實現在寬溫范圍內高精度的計時功能，其中25℃精度<±3.8ppm（為出廠標準，

        VDD=3.3V)。  

      >具有一次性或充電的后備電池輸入腳VBAT ，其內部的3.3V穩(wěn)壓充電電路可選擇性地對外接的充電電池進行自動充電，內置的充電限流電阻可            位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。

      >內置電池電壓檢測功能，可讀取當前電池電壓值(三位有效數)，設置高低電池報警電壓值并從INT腳輸出中斷。

      >芯片依據不同的電壓自動從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當芯片檢測到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于VBAT,芯片會轉

        為由接在VBAT的后備電池供電；當VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,則芯片會轉為由VDD供電。（內置電源模式指示位PMF,VDD模式時 

        PMF=0，VBAT模式時PMF=1）。

      >內置8字節(jié)的ID碼，芯片出廠之前設定的、全球唯一的身份識別碼。

      >內置IIC總線0.5秒自動復位功能(從Start命令開始計時)，該功能可以避免IIC總線掛死問題。

      >內置三個時鐘數據寫保護位, 避免對數據的誤寫操作，可更好地保護數據。

      >內置軟件可控VBAT模式IIC總線通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允許IIC通信.上電默認值

        BATIIC=0)，從而避免在電池供電時CPU對時鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在VDD上、下電的過程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控

        的雜波信號對時鐘芯片的誤寫操作，進一步提高時鐘芯片的可靠性。

      >內置上電指示位RTCF，當包括電池在內的所有電源第一次上電時該位置1。

      >內置電池電壓欠壓指示位BLF，當電池電壓低于2.2V時BLF位置1。

      >內置停振檢測位OSF,當內部振蕩器停止振蕩時該位置1。      

      >芯片在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。

      >CMOS 工藝

      >封裝形式：SOP8（寬度208mil）,SD3031管腳兼容3231;SD3900 3225封裝。

管腳設置:

管腳說明:

原理框圖:

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