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SD2400系列

  • 產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 技術(shù)文檔
總線 晶振 校時(shí)方式 精度 INT輸出 SRAM ? 封裝形式??
IIC 內(nèi)置 外部 25℃<±5ppm 12字節(jié) DIP8/DIP16/DIP24

高可靠性、高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊SD2400系列 


內(nèi)置晶振、電池、串行NVSRAM/EEPROM、12字節(jié)用戶SRAM、IIC接口、多種中斷輸出

 

概述:

      SD2400系列是一種具有內(nèi)置晶振、支持IIC串行接口的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片,CPU可使用該接口通過5位地址尋址來讀寫片內(nèi)32字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2400系列內(nèi)置晶振,該芯片可保證時(shí)鐘精度為±5ppm(在25℃下),即年誤差小于2.5 分鐘;該芯片內(nèi)置時(shí)鐘精度調(diào)整功能,可以在很寬的范圍內(nèi)校正時(shí)鐘的偏差(分辨力3ppm)。SD2400系列內(nèi)置的一次性工業(yè)級電池或充電電池可保證在外部掉電情況下時(shí)鐘使用壽命為5~8年時(shí)間。SD2400系列采用了多種提高芯片可靠性的技術(shù),可滿足對實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的各種需要,是在選用高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘時(shí)的理想選擇。

 

 主要性能特點(diǎn): 

      >低功耗: 1.0μA 典型值(時(shí)鐘電路部分,Ta=25℃)。   

      >工作電壓:3.3V~5.5V,工作溫度:民用級0℃~70℃,工業(yè)級-40℃~+85℃(均有寬溫型號選擇,請看相應(yīng)型號資料)。 

      >標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式, 時(shí)鐘電路最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。

      >年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨(dú)立的地址訪問各時(shí)間寄存器。

      >閏年自動調(diào)整功能(從2000年~2099年)。

      >可選擇12/24小時(shí)制式.

      >內(nèi)置年、月、日、星期、時(shí)、分、秒共7字節(jié)的報(bào)警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報(bào)警允許寄存器。

      >內(nèi)置12字節(jié)用戶SRAM寄存器可用于存儲用戶的一般數(shù)據(jù)。

      >可設(shè)定并自動重置的單路報(bào)警中斷功能(時(shí)間范圍最長設(shè)至100年),年、月、日、星期、時(shí)、分、秒報(bào)警共有96種組合方式,并有單事件報(bào)警            和周期性報(bào)警兩種中斷輸出模式.

      >周期性頻率中斷輸出:從32768Hz~1/16Hz……1秒共十五種方波脈沖. 

      >自動重置的8位倒計(jì)時(shí)定時(shí)器,可選的四種時(shí)鐘源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ)。

      >三種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有兩個(gè)中斷標(biāo)志位.

      >內(nèi)置晶振,出廠前已對時(shí)鐘進(jìn)行校準(zhǔn),時(shí)鐘精度為±5ppm(在25℃±1℃下),即年誤差小于2.5 分鐘。

      >內(nèi)置時(shí)鐘精度數(shù)字調(diào)整功能,可通過程序來調(diào)整走時(shí)的快慢。用戶采用外置或內(nèi)置的溫度傳感器,設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值,可實(shí)現(xiàn)在寬溫

        范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能(在-40℃~85℃小于±5ppm)。 

      >內(nèi)置備電自動切換功能 ,芯片依據(jù)不同的電壓自動從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。

      >在VBAT模式下,芯片具有中斷輸出允許或禁止的功能,可滿足在備用電池供電時(shí)輸出中斷的需要。

      >內(nèi)置的充電電池及充電電路,在電池滿充時(shí)可保證內(nèi)部時(shí)鐘走時(shí)超過半年,累計(jì)電池電量超過550mAh,電池使用壽命為5~8年時(shí)間;內(nèi)置的

        一次性民用級電池使用壽命為3~5年,一次性工業(yè)級電池使用壽命為5~8年時(shí)間。

      >內(nèi)置的16kbit~256kbit非易失性SRAM(C/D/E型),其讀寫次數(shù)為100億次,且內(nèi)部寫延時(shí)小于300ns。

      >內(nèi)置的2kbit~256kbitE2PROM(F/B/C/D/E型),其擦寫次數(shù)100萬次

      >內(nèi)置IIC總線0.5秒自動復(fù)位功能(從Start命令開始計(jì)時(shí)),保證時(shí)鐘數(shù)據(jù)的有效性及可靠性,避免總線掛死問題。

      >內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫保護(hù)位, 避免對數(shù)據(jù)的誤寫操作,可更好地保護(hù)時(shí)鐘數(shù)據(jù)。

      >內(nèi)置VBAT模式IIC總線通信禁止功能,從而避免在電池供電時(shí)CPU對時(shí)鐘操作所消耗的電池電量,也可避免在主電源上、下電的過程中因CPU

        的I/O端口所輸出的不受控的雜波信號對時(shí)鐘芯片的誤寫操作,進(jìn)一步提高時(shí)鐘芯片的可靠性。

      >內(nèi)置上電復(fù)位電路及指示位;內(nèi)置電源穩(wěn)壓,內(nèi)部計(jì)時(shí)電壓可低至1.5V。 

      >芯片管腳抗靜電(ESD)>4KV。

      >芯片在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。

 

    型號列表:

 

   型          號     

晶振

電池類別

NVSRAM

EEPROM

SRAM

數(shù)字溫度傳感器

  封裝形式  

SD2400A/C/D/EP

一次性



DIP24

SD2400F/B/C/D/ELP

一次性



DIP24

SD2401A/C/D/EP

充電



DIP24

SD2401F/B/C/D/ELP

充電



DIP24

SD2403API

-




DIP8

SD2404FLPI

一次性


DIP24

SD2405ALPI

充電


-


DIP16

備注:后綴A/F/B/C/D/E:分別表示內(nèi)置NVSRAM/EEPROM容量,分別為0/2/4/16/64/256Kbit。








 

 管腳設(shè)置:  

SD2400系列管腳圖

原理框圖:

SD2400BLOCKDIAGRAM

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