全溫度補(bǔ)償?shù)母呔葘?shí)時時鐘-SD2500系列 

內(nèi)置晶振、電池、串行NVSRAM/EEPROM、70字節(jié)用戶SRAM、電池電壓檢測、64位ID碼

概述：

      SD2500系列是一種具有內(nèi)置晶振、支持IIC串行接口的高精度實(shí)時時鐘芯片，CPU可使用該接口通過7位地址尋址來讀寫片內(nèi)122字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時間寄存器、報警寄存器、控制寄存器、用戶SRAM寄存器及ID碼寄存器)。SD2500系列內(nèi)置晶振,該芯片可保證在25℃下時鐘精度小于±5ppm，即年誤差小于2.6分鐘；該系列芯片內(nèi)置時鐘精度溫度補(bǔ)償功能，實(shí)現(xiàn)在常溫及寬溫范圍內(nèi)不需用戶干預(yù)、全自動、全電源環(huán)境補(bǔ)償?shù)母呔?、高可靠計時功能。SD2500系列內(nèi)置的一次性工業(yè)級電池或充電電池可保證在外部掉電情況下時鐘使用壽命為5～8年時間。SD2500系列采用了多種提高芯片可靠性的技術(shù),可滿足對實(shí)時時鐘芯片的各種需要，是在選用高精度實(shí)時時鐘時的理想選擇。

主要性能特點(diǎn)： 

      >低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。   

      >工作電壓：2.7V～5.5V。 

      >標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

      >年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨(dú)立的地址訪問各時間寄存器。

      >閏年自動調(diào)整功能(從2000年～2099年)。

      >可選擇12/24小時制式.

      >內(nèi)置年、月、日、星期、時、分、秒共7字節(jié)的報警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報警允許寄存器，共有96種組合報警方式，并有單事件報警和周期性          報警兩種中斷輸出模式，報警時間最長可設(shè)至100年。

      >周期性頻率中斷輸出:從4096Hz～1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖. 

      >自動重置的三字節(jié)共24位的倒計時定時器,可選的4種時鐘源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘），最小定時為244us，最長定時可到31年，

        通過計算可獲得較精確的毫秒級定時值。

      >五種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有四個中斷標(biāo)志位.

      >內(nèi)置76字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲用戶的一般數(shù)據(jù)。

      >具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K，可以位允許/禁止32K輸出。

      >內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器，為了節(jié)省電池電量消耗，設(shè)為VDD模式下60S間隔測溫一次，電池模式600S間隔測溫一次。

      >內(nèi)置晶振和諧振電容，芯片內(nèi)部通過精度補(bǔ)償方法，實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計時功能，25℃精度<±5ppm。      

      >內(nèi)置智能充電電路 ，其內(nèi)部的3.3V穩(wěn)壓電路可選擇性地對外接的充電電池進(jìn)行自動充電，內(nèi)置的充電限流電阻可位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。

      >內(nèi)置電池電壓檢測功能，可讀取當(dāng)前電池電壓值(三位有效數(shù))，設(shè)置高低電池報警電壓值并從INT腳輸出中斷。

      >芯片依據(jù)不同的電壓自動從VDD切換到電池或從電池切換到VDD。當(dāng)芯片檢測到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于電池電壓，芯片會轉(zhuǎn)          為后備電池供電；當(dāng)VDD大于電池電壓或VDD大于2.4V,則芯片會轉(zhuǎn)為由VDD供電。（內(nèi)置電源模式指示位PMF,VDD模式時PMF=0，VBAT

        模式時PMF=1）

      >在VBAT模式下，芯片具有中斷輸出允許或禁止的功能,可滿足在備用電池供電時輸出中斷的需要。

      >內(nèi)置的充電電池及充電電路，在電池滿充時可保證內(nèi)部時鐘走時超過半年，累計電池電量超過550mAh,電池使用壽命為5～8年時間；內(nèi)置的

        一次性民用級電池使用壽命為3～5年，一次性工業(yè)級電池使用壽命為5～8年時間。

      >內(nèi)置的16kbit～256kbit非易失性SRAM（C/D/E型）,其讀寫次數(shù)為100億次，且內(nèi)部寫延時小于300ns。

      >內(nèi)置的2kbit～256kbitE2PROM（F/B/C/D/E型）,其擦寫次數(shù)100萬次。

      >內(nèi)置8字節(jié)的ID碼（OTP型），芯片出廠之前設(shè)定，全球唯一的身份識別碼。

      >內(nèi)置IIC總線0.5秒自動復(fù)位功能(從Start命令開始計時)，該功能可以避免IIC總線掛死問題。

      >內(nèi)置三個時鐘數(shù)據(jù)寫保護(hù)位, 避免對數(shù)據(jù)的誤寫操作，可更好地保護(hù)數(shù)據(jù)。

      >內(nèi)置軟件可控VBAT模式IIC總線通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允許IIC通信.上電默認(rèn)值                    BATIIC=0)，從而避免在電池供電時CPU對時鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在VDD上、下電的過程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的          雜波信號對時鐘芯片的誤寫操作，進(jìn)一步提高芯片的可靠性。

      >內(nèi)置上電指示位RTCF，當(dāng)包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時該位置1。

      >內(nèi)置電池電壓欠壓指示位BLF，當(dāng)電池電壓低于2.2V時BLF位置1。

      >內(nèi)置停振檢測位OSF,當(dāng)內(nèi)部振蕩器停止振蕩時該位置1。　

      >芯片管腳抗靜電(ESD)>2KV。

      >芯片在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。

型號列表:

管腳設(shè)置:  

原理框圖:

走時精度-溫度曲線圖：

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