總線 | 晶振 | 校時(shí)方式 | 精度 | INT輸出 | 溫度補(bǔ)償 | SRAM | ID碼 | 電池電壓測(cè) | ? 封裝形式?? | IIC | 內(nèi)置 | 內(nèi)部GPS | 校時(shí)誤差1ms | √ | √ | 70字節(jié) | √ | √ | DIP24 |
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高精度衛(wèi)星校時(shí)實(shí)時(shí)時(shí)鐘-SD2522
內(nèi)置衛(wèi)星校時(shí)、晶振、充電電池、IIC串行接口、超高精度、支持北斗
概述:
SD2522API是一種具有內(nèi)置GPS校時(shí)電路、晶振、IIC串行接口的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片, CPU可使用該接口通過(guò)7位地址尋址來(lái)讀寫(xiě)片內(nèi)122字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、電池電量寄存器、49字節(jié)的用戶SRAM寄存器及8字節(jié)的ID碼寄存器)。SD2522API芯片在無(wú)GPS校時(shí)的情況下,可保證時(shí)鐘精度為±3.8ppm(在25±1℃下),即年誤差小于2分鐘;SD2522API芯片在有GPS校時(shí)的情況下,可保證時(shí)鐘精度為±1ms;該芯片內(nèi)置充電電池,在電池滿充的情況下內(nèi)部時(shí)鐘走時(shí)時(shí)間一年左右, 累計(jì)電量超過(guò)550mhA,電池使用壽命為五至八年。
主要性能特點(diǎn):
>低功耗:時(shí)鐘模塊內(nèi)部計(jì)時(shí)工作0.7uA(VBAT=3.3V,Ta=25℃);SD2522API正常工作典型值135uA(VBAT=3.3V,Ta=25℃);GPS校時(shí)時(shí)功耗:典型值70mA。
>工作電壓:3.0V~5.5V;工作溫度:工業(yè)級(jí)-30℃~+80℃。
>超高精度:GPS校時(shí),時(shí)鐘校時(shí)誤差小于1ms。
>內(nèi)置GPS電源管理:GPS校時(shí)完成后,可以設(shè)置自動(dòng)關(guān)閉GPS電路電源,減小功耗,也可設(shè)置校時(shí)完成后不關(guān)閉而繼續(xù)工作。
>支持GPS、北斗(BD)、格洛納斯(GLONASS)校時(shí)定位。
>標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式,最高速度400kHZ。
>年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過(guò)獨(dú)立的地址訪問(wèn)各時(shí)間寄存器。
>閏年自動(dòng)調(diào)整功能(從2000年~2099年);可選擇12/24小時(shí)制式。
>可設(shè)定并自動(dòng)重置的單路報(bào)警中斷功能(時(shí)間范圍最長(zhǎng)設(shè)至100年),年、月、日、星期、時(shí)、分、秒報(bào)警共有96種組合方式,并有單事件報(bào)警和周期性報(bào)警兩種中斷輸出模式。
>周期性頻率中斷輸出:從4096Hz~1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖。
>自動(dòng)重置的8位倒計(jì)時(shí)定時(shí)器,可選從4種時(shí)鐘源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ),最小定時(shí)為244us,最長(zhǎng)定時(shí)可到31年,通過(guò)計(jì)算可獲得較精確的毫秒級(jí)定時(shí)值。
>內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器,為了節(jié)省電池電量消耗,設(shè)為VDD模式下60S間隔測(cè)溫一次,電池模式600S間隔測(cè)溫一次。
>內(nèi)置晶振和諧振電容,模塊內(nèi)部通過(guò)高精度補(bǔ)償方法,實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能,其中25℃精度<±3.8ppm。
>49Bytes通用SRAM寄存器可用于存儲(chǔ)用戶的一般數(shù)據(jù)。
>內(nèi)置充電電路,充電型電池累計(jì)電量超過(guò)550mAh,在電池滿充的常溫情況下內(nèi)部時(shí)鐘走時(shí)時(shí)間在一年左右,電池使用壽命為5~8年;內(nèi)置的充電限流電阻可位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。
>內(nèi)置電池電壓檢測(cè)功能,可讀取當(dāng)前電池電壓值(三位有效數(shù)),設(shè)置高低電池報(bào)警電壓值并從INT腳輸出中斷。
>內(nèi)置IIC總線0.5秒自動(dòng)復(fù)位功能(從Start命令開(kāi)始計(jì)時(shí)),保證時(shí)鐘數(shù)據(jù)的有效性及可靠性,避免IIC總線掛死問(wèn)題。
>模塊依據(jù)不同的電壓自動(dòng)從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當(dāng)模塊檢測(cè)到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于VBAT,模塊會(huì)轉(zhuǎn)為由接在VBAT的后備電池供電;當(dāng)VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,則模塊會(huì)轉(zhuǎn)為由VDD供電。(內(nèi)置電源模式指示位PMF,VDD模式時(shí)PMF=0,VBAT模式時(shí)PMF=1)。
>內(nèi)置VBAT模式IIC總線通信禁止功能,從而避免在電池供電時(shí)CPU對(duì)時(shí)鐘操作所消耗的電池電量,也可避免在主電源上、下電的過(guò)程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的雜波信號(hào)對(duì)時(shí)鐘模塊的誤寫(xiě)操作,進(jìn)一步提高時(shí)鐘模塊的可靠性。
>內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫(xiě)保護(hù)位, 避免對(duì)數(shù)據(jù)的誤寫(xiě)操作,可更好地保護(hù)時(shí)鐘數(shù)據(jù)。
>內(nèi)置上電復(fù)位電路及上電指示位RTCF,當(dāng)包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時(shí)該位置1。
>內(nèi)置電池電壓欠壓指示位BLF,當(dāng)電池電壓低于2.2V時(shí)BLF位置1。
>內(nèi)置停振檢測(cè)位OSF,當(dāng)內(nèi)部振蕩器停止振蕩時(shí)該位置1。
>內(nèi)置電源穩(wěn)壓,內(nèi)部計(jì)時(shí)電壓可低至1.8V。
>內(nèi)置8字節(jié)的ID碼,模塊出廠之前設(shè)定的、全球唯一的身份識(shí)別碼。
>模塊管腳 ESD>2KV。
>模塊在興威帆的評(píng)估板上可通過(guò)4KV的群脈沖(EFT)干擾。
型號(hào)列表:
型 號(hào) | 工作電壓 | 校時(shí)開(kāi)電流 | 校時(shí)關(guān)電流 | 校時(shí)精度 | 內(nèi)置高精度RTC | 電池類別 | GPS校時(shí) | SRAM | RF天線 | 封裝形式 |
SD2522API | 3.0V~5.5V | 64mA | 135uA | 1ms | √ | 充電電池 | √ | √ | 內(nèi)置插針版 | DIP24 |
SD2522APIW | 3.0V~5.5V | 64mA | 135uA | 1ms | √ | 充電電池 | √ | √ | 外置引線版 | DIP24 |
SD4020API | 3.0V~5.5V | 64mA | 20uA | 1ms | √ | 內(nèi)置插針版 | DIP24 | |||
SD4020APIW | 3.0V~5.5V | 64mA | 20uA | 1ms | √ | 外置引線版 | DIP24 |
管腳設(shè)置:
原理框圖:
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